场效应管的工作的原理是什么(场效应管的工作原理)

场效应管的工作的原理是什么

场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。

场效应管的工作原理

场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。

场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

场效应管（FieldEffectTransistor，FET）是一种半导体电子器件，其工作原理与普通的晶体管类似，都是通过控制门电流来控制通道电流的流动。

场效应管原理是什么

场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。

场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

场效应管工作原理是什么?

1、场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

3、场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

4、场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。

5、它的工作原理是，当在晶体管的源极和漏极之间施加一个外部电场时，晶体管的源极和漏极之间的电压会发生变化，从而改变晶体管的导通状态。

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